光刻胶的应用

光刻胶的应用

       1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——semi标准。此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。1978年，德国的伊默克公司也制定了mos标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别ic的制作要求。其中，semi标准更早取得范围内的-。

负性光刻胶

负性光刻胶

负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

a、粘性增强负性光刻胶

粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双-的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力；很容易用光胶剥离器去除，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长-。

粘性增强负胶对生产量的影响，消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。芯片光刻的流程详解二所谓光刻，根据-的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用-和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到-的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的-度进而增强-通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶-时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。

i线-用粘度增强负胶系列：np9–250p、np9–1000p、np9–1500p、np9–3000p、np9–6000p、np9–8000、np9–8000p、np9–20000p。

g和h线-用粘度增强负胶系列：np9g–250p、np9g–1000p、np9g–1500p、np9g–3000p、np9g–6000p、np9g–8000。

 b、加工负胶

    加工负胶的应用是替代用于rie加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在rie加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长-。

    加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到-的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的-度进而增强-通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶-时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。《集成电路产业发展推进纲要》，提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备，开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”。

用于i线-的加工负胶系列：nr71-250p、nr71-350p、nr71-1000p、nr71-1500p、nr71-3000p、nr71-6000p、nr5-8000。

lcd市场助力

全球lcd面板总出货面积增长，lcd光刻胶需求增加。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。据witsview数据，虽然近三年国际lcd厂商面板出货量有所下降，但是由于大屏显示的市场扩增，lcd整体出货面积变大，2016年出货总面积达到1.7亿平方米，同比增长4.6%。随着lcd出货面积的持续增长，中国产业-预测，未来几年全球lcd光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。随着国内厂商占据lcd市场比重越来越大，国内lcd光刻胶需求也会持续增长。