大功率IGBT测试仪-货源 华科动态参数IGBT

igbt测试装置技术要求 1设备功能 igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的---，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。 igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试，在igbt的检测中，采用大电流脉冲对igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测问题。华科智源igbt测试仪针对igbt的各种静态参数而研制的智能测试系统。

现今power mosfet(金属氧化物场效晶体管)及igbt绝缘栅型场效应晶体管已成为大功率元件的主流，在市场上居于------。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动mosfet及igbt的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..1开通：turnon(tdon,tr,di/dt,ipeak,eon,pon)。..等领域，使半导体开发---在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。

如何执行导通参数与漏电流的量测？

?测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为---品。

大功率i g b t模块测试系统简介

我公司所设---产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：

☆可单机独立操作，测试范围达2000v及50a。

☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600a。

9尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的igbt器件电压过冲。 ?电容容量 200μf ?分布电感 小于10nh ?脉冲电流 2ka ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000v(2只串联) ?-di/dt大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降小于1v ?浪涌电流大于20ka ?反向恢复时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kv(3只串联) ?-di/dt 大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降 小于1v ?建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。浪涌电流 大于20ka ?反向恢复时间 小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

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