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正性光刻胶

正性光刻胶

正性光刻胶也称为正胶。正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中，感光剂是光敏化合物，常见的是------dnq。goodpr是---比较多公司采用的，但是futurre光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也比较厚从18um-200um都可以做到，看你对工艺的要求了。在---前，dnq是一种---的溶解，降低树脂的溶解速度。在紫外---后，dnq在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种---反应会在dnq中产生羧酸，它在显影液中溶解度---。正性光刻胶具有---的对比度，所以生成的图形具有---的分辨率。

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四、对准alignment

光刻对准技术是---前的一个重要步骤作为光刻的三大---之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。从对准信号--- ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。

光刻胶

光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。受全球半导体市场复苏和国内承接产业转移，预计全球光刻胶市场将保持稳定增速，国内市占率稳步抬升。此外，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光---后，它在显影液中的溶解度会发生变化。

分类

根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。

正胶

---前对显影液不可溶，而---后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。

优点：分辨率高、对比度好。

缺点：粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。

灵敏度：---区域光刻胶完全溶解时所需的能量

负胶egative






photo resist

与正胶反之。

优点： ---的粘附能力和抗刻蚀能力、感-度快。

缺点： 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率。

灵敏度：保留---区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。

按感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型光刻胶、光分解型光刻胶和光交联型光刻胶。在应用中，采用不同单体可以形成正、负图案，并可在光刻过程中改变材料溶解性、抗蚀性等。

光聚合型光刻胶

烯类，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合。

光分解型光刻胶

---醌类化合物，经光照后,会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性。

光交联型光刻胶

---月桂酸酯，在光的作用下,分子中的双键打开，链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构从而起到抗蚀作用。

按---波长，光刻胶可分为紫外300~450 nm光刻胶、深紫外160~280 nm光刻胶、极紫外euv，13.5 nm光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、x 射线光刻胶等。

按应用领域，光刻胶可分为pcb 光刻胶、lcd 光刻胶、半导体光刻胶等。pcb 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术的水平。