大功率IGBT测试仪价格「华科智源」

3.6 vces 集射极截止电压 0~5000v 集电极电流ices： 0.01～1ma±3%±0.001ma； 1～10ma±2%±0.01ma； 10～50ma±1%±0.1ma； 集电极电压vces： 0-5000v±1.5%±2v；5雪崩技术条件 1、vce：50～500v±3%±5v500～1000v±3%±5v 2、ic：1a～50a 1a～9。 * 3.7 ices 集射极截止电流 0.01～50ma 集电极电压vces： 50～500v±2%±1v； 500～5000v±1.5%±2v； 集电极电流ices： 0.001～1ma±3%±0.001ma； 1～10ma±2%±0.01ma； 10～150ma±1%±0.1ma； * 3.8 vce(sat) 饱和导通压降 0.001～10v 集电极电流ice： 0-1600a 集电极电压vces： 0.001～10v±0.5%±0.001v 栅极电压vge： 5～40v±1%±0.01v 集电极电流ice： 0～100a±1%±1a； 100～1600a±2%±2a； * 3.9 iges 栅极漏电流 0.01～10μa 栅极漏电流iges： 0.01～10μa±2%±0.005μa 栅极电压vge： ±1ｖ～40v±1%±0.1v； vce=0v； * 3.10 vf 正向特性测试 0.1～5v 二极管导通电压vf： 0.1～5v±1%±0.01v 电流if： 0～100a±2%±1a； 100～1600a±1.5%±2a；

14工控机及操作系统

用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：

?机箱：4μ 15槽上架式机箱；

?支持atx母板；

?cpμ：intel双核；

?主板：研华simb；

?硬盘：1tb；内存4g；

?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；

?集成vga显示接口、4个pci接口、6个串口、6个μsb接口等。

?西门子plc逻辑控制

15数据采集与处理单元

用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：

?示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?状态监测：ni数据采集卡

?上位机：基于labview人机界面

?数据提取：测试数据可存储为excel文件及其他用户需要的任何数据格式，---是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；?数据处理和状态检测部分内容可扩展

目的和用途 该设备用于功率半导体模块igbt、frd、肖特基二极管等的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(mosfet)、igbt(insulatedgateb。 1.2 测试对象 igbt、frd、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通---时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj 100～500mj±5%±2mj 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000a/us 6、开通峰值功率pon：10w～250kw

静态及动态测试系统 技术规范 供货范围一览表 序号 名称 型号 单位 数量 1 半导体静态及动态测试系统 hustec-2010 套 1 1范围 本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。功率模块的vce-ic特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降vcesat会逐渐劣化。

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