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电池片的检验

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，---测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，---偿还，返工，光伏模块回收等。

背电场：

a 级：

背电场完整，厚薄均匀，允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。

新的标准：背电场完整，厚薄均匀，不允许有缺失

b 级：

允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 30% 。

新的标准：允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。

c 级：

允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。

新的标准：缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。

粗点：

粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个

新的标准：不允许有粗点

粗点宽度≤ 0.25mm ，个数小于 5 个

新的标准：允许有粗点，粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个

粗点宽度≤ 0.3mm ，个数小于 8 个

新的标准：当主栅线或副栅线有明显粗细不均时，应用刻度显微镜进行查检。

振鑫焱光伏科技有限责任公---期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，el，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，---限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债---，返修，太阳能发电控制模块收购等。 

报废片： 

超过缺点片的规定常出---的印刷图型出现异常的缘故表明

1、电级掉下来叠片：硅片与料浆没产生充足的铝合金层换句---沒有产生好的触碰。 

2、断开：有物品粘在钢网上，导致堵网。解决方案：擦洗钢网，擦洗堵网地区。 

3、跑模：钢网有系统漏洞解决方案：较小且没有细栅线上线下用封网浆将小圆孔封死就能。很大时务---拆换钢网。另留意跑模干万不可以漏在反面电级，那样会使rsh并联电阻过低。

4、粗点：钢网损伤，刮条不整平解决方案：换钢网，换刮条。 

5、虚印：有时候会因为原料缘故造成如：据痕、薄厚不匀。其次跟刮条和钢网也是关联。解决方案：换钢网或换刮条。

电池片的制作工艺

影响因素

1 ．频率

射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率 >;4mhz 沉积的氮化硅薄膜具有---的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 rf 功率通常会--- sin 膜的。但是，功率密度不宜过大，超过 1w/cm2 时器件会造成---的射频损伤。

3 ．衬底温度

pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能---氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有---的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜，选择nh3/sih4=2~20 体积比。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以---沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 sin 。因此，必须控制气体中的 sih4 浓度，不宜过高，并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。