大功率IGBT测试仪厂家厂家 华科半导体测试仪

测试参数： ices 集电极-发射极漏电流 igesf 正向栅极漏电流 igesr 反向栅极漏电流 bvces 集电极-发射极击穿电压 vgeth 栅极-发射极阈值电压 vcesat 集电极-发射极饱和电压 icon 通态电极电流 vgeon 通态栅极电压 vf 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。工作湿度 13被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。

2.4短路技术条件 1、vcc： 200～1000v 200～1000v±3%±2v 2、一次短路电流：20000a 500～1000a±3%±2a 1000a～5000a±2%±5a 5000a～20000a±2%±10a 3、tp：5-30us 2.5雪崩技术条件 1、vce：50～500v±3%±5v 500～1000v±3%±5v 2、ic：1a～50a 1a～9.9a±3%±50ma 10a～50a±3%±1a 3、ea：10mj～20j 10mj～1000mj±3%±1mj 1j～20j±3%±10mj 4、脉冲宽度：40—1000us可设定 5、测试频率：单次 2.6 ntc测试技术条件 阻值测量范围：0～20kω

其中：vcc 试验电压源 ±vgg 栅极电压 c1 箝位电容 q1 陪测器件实际起作用的是器件中的续流二极管 l 负载电感 ：100uh、200uh、500uh、1000uh自动切换 ic 集电极电流取样电流传感器 dut 被测器件 关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压vcc值到被测器件的测试要求值一般为被测器件额定电压的1/2，设定±vgg到测试要求值，开关被测器件dut一次，被测器件的开冲持续时间必须-dut完全饱和，同时监测集电极电流ic、栅极-发射极电压vge和集电极-发射极电压vce，记录下被测器件ic、vce以及vge的波形，其中，vce采样到示波器的ch1通道，ic取样到示波器的ch2通道，vge采样到示波器的ch3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。正本、副本技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。

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