LVPECL输出压控振荡器价格-了解更多 晶宇兴科技

压控振荡器的特性

压控振荡器的类型有lc压控振荡器、rc压控振荡器和晶体压控振荡器。对压控振荡器的技术要求主要有：频率稳定度好、控制灵敏度高、调频范围宽、频偏与控制电压成线---并宜于集成等。晶体压控振荡器的频率稳定度高，但调频范围窄；rc压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽，lc压控振荡器居二者之间。

在通信或测量仪器中，输入控制电压是欲传输或欲测量的信号调制信号。人们通常把压控振荡器称为调频器，用以产生调频信号。在自动频率控制环路和锁相环环路中，输入控制电压是误差信号电压，压控振荡器是环路中的一个受控部件。

lc压控型压控振荡器

在任何一种lc振荡器中，将压控可变电抗元件插入振荡回路就可形成lc压控振荡器。早期的压控可变电抗元件是电抗管，后来大都使用变容二极管。图 2是克拉泼型lc压控振荡器的原理电路。图中，t为晶体管，l为回路电感，c1、c2、cv为回路电容,cv为变容二极管反向偏置时呈现出的容量;c1、c2通常比cv大得多。当输入控制电压uc改变时，cv随之变化，因而改变振荡频率。这种压控振荡器的输出频率与输入控制电压之间的关系为vco输出频率与控制电压关系式中c0是零反向偏压时变容二极管的电容量；φ 是变容二极管的结电压；γ 是结电容变化指数。为了得到线性控制特性，可以采取各种补偿措施。

锁相环电路中压控振荡器的set响应研究

空间辐射环境中的锁相环在set作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对set敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用tcad混合模拟的方法,针对180nm体硅cmos工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器set响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子let的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。