激光脉冲沉积设备厂家服务介绍「沈阳鹏程」

pld450型脉冲激光镀膜介绍

以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产脉冲激光沉积，欢迎新老客户莅临。

技术指标：

---真空度：≤6.7×10 pa　　

恢复真空时间：从1×10 pa抽至5×10 pa≤20min　　

系统漏率：6. 7×10-7pa.l/s；　　

真空室：ф450球型真空室 ，　　

基片尺寸：可放置4″可实现公转换靶位描等基片加热可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm可调。　　

二维扫描机械平台，执行两自由度扫描,控制的内容主要有公转换靶、靶自转、样品自转、样品控温、激光束扫,

流量控制器1路　　

烘烤温度：150℃数显自动热偶控温高温炉盘，数显自动热偶控温可加热到800℃

脉冲激光沉积介绍

脉冲激光沉积也被称为脉冲激光烧蚀pulsed laser ablation，pla，是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。

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脉冲激光沉积系统配置介绍

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脉冲激光沉积系统配置：

生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压rheed，工作气压可达100pa可预留法兰，用于leed，k-cell, e-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。电抛光腔体，主腔呈方形，其前部是铰链门，方便更换基底和靶材3。

脉冲激光沉积选件介绍

激光分子束外延(laser mbe )

激光mbe 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的pld 与在线工艺监测的反射高能电子衍射rheed的联合应用，用户提供了类似于mbe 的薄膜生长的单分子水平控制。

正确的设计是成功使用rheed 和pld 的重要因数

rheed 通常在高真空<10-6 torr环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，pld 采用较高的压力，差动抽气是---的，

维持rheed 枪的工作压力，同时保持500 mtorr 的pld 工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是---的。neocera 的激光mbe 系统可以为用户提供在压力达到500 mtorr 时所需的单分子层控制。

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