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NR73G 6000P光刻胶厂家品质售后-「赛米莱德」

发布者: 北京赛米莱德贸易有限公司  时间:2022-1-8 






光刻胶分类

1、负性光刻胶

主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的kpr为代表,后者以omr系列为代表。

2、正性光刻胶

主要以---醒为感光化台物,以酚醛树脂为基本材料。的有az-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。

3、负性电子束光刻胶

为含有环---、---或环---物的聚合物。 的是cop胶,典型特性:灵敏度0.3~0.4μc/cm2 (加速电压10kv时)、分辨率1.0um、 对比度0.95。---分辨率

的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。

4、正性电子束光刻胶

主要为---、烯砜和---类这三种聚合物。的是pmma胶,典型特性:灵敏度40~ 80μc/cm2 (加速电压20kv时)、分辨率0.1μm、 对比度2~3。

pmma胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低,此外在高温下易流动,耐干法刻蚀性差。

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光刻胶:半导体技术壁垒较高的材料之一

光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占ic制造50%左右,成本约占ic生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的对光刻工艺有着重要影响。

光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上,为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线---后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显---,被---的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。

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为什么现在还有人使用负性胶

划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在---之后,被浸入显影溶液中。在显影过程中,正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下,未---的区域保持不变。负性光刻胶正好相反,在显影剂中未---的区域将溶解,而---的区域被保留。正性胶的分辨力往往是较好的,因此在ic制造中的应用更为普及,但mems系统中,由于加工要求相对较低,光刻胶需求量大,负性胶仍有应用市场。

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