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多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的,不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体,才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。加工硅晶片生成一个硅锭要花一周到一个月的时间,这取决于很多因素,包括大小、和终端用户要求。超过75%的单晶硅晶圆片都是通过czochralski(cz,也叫提拉法)方法生长的。8%是硅元素构成的,仅次于氧元素含量---第二,硅是自然界中比较富的元素。
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种子是慢慢浮出熔化物的,种子和熔化物间的表面张力在子晶表面上形成一层薄的硅膜,然后冷却。冷却时,已熔化硅中的原子会按照子晶的晶体结构自我定向。硅锭完全长大时,它的初始直径要比终晶圆片要求的直径大一点。
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刻蚀和清洗研磨后,进入刻蚀和清洗工艺,使用---、和---的混合物以减轻磨片过程中产生的损伤和裂纹。关键的倒角工艺是要将晶圆片的边缘磨圆,将来电路制作过程中破损的可能性。倒角后,要按照终用户的要求,经常需要对边缘进行抛光,提高整体清洁度以进一步减少破损。88%,究其原因,主要是金融危机后全球经济复苏缺乏动力,美国经济持续低迷,欧洲---危机益发---且缺乏统一、有效的救助手段,新兴市场普遍通货膨胀加剧。
当要从dram芯片中读出数据时,cpu首先将行地址加在a0-a7上,而后送出ras锁存信号,该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的a0-a7上,再送cas锁存信号,也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持we=1,则在cas有效期间数据输出并保持。当需要把数据写入芯片时,行列地址先后将ras和cas锁存在芯片内部,然后,we有效,加上要写入的数据,则将该数据写入选中的存贮单元。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上,借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元,锁存信号也靠着外部地址电路产生。
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