导电辊包括导电辊的外层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成、内层由离子导电性聚合物的组合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成的双层导电辊,以及与上述相反的外层由离子导电性聚合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成、内层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成的双层导电辊。半导电胶辊属于半导电元件,且电阻值受环境影响较大,对产品的导电性要求极其严格,因为打印的全过程是碳粉通过电场的压力来实施,所以轻微的电性误差将导致在打印过程中文字和图片深浅不一的现象。
镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。热压法:ito靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后,以100kgf/cm2~1000kgf/cm2的压力单轴向加压,同时以1000℃~1600℃进行烧结。简单说的话,靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料,不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时,会产生不同的---破坏效应。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,---地满足了各种新型电子元器件发展的需求。
溅射靶材ito靶材的生产工艺 ito靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(hip)、溅射靶材热压法(hp)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:
热等静压法:ito靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,生产成本高,产品的缺氧率高。
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