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为了获得正向压降低和反向漏电流小的sicsbd，采用ni接触与ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(dmt)结构的sicsbd设计方案是可行的。采用这种结构的sicsbd，反向特性与ni肖特基整流器相当，在300v的反向偏压下的反向漏电流比平面型ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于nisbd。采用带保护环的6h-sicsbd，击穿电压达550v。

肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与pn结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(sio2)电场消除材料、n-外延层(材料)、n型硅基片、n+阴极层及阴极金属等构成。

asemi生产肖特基二极管12年，产品型号参数齐全，欢迎详询

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管5us以下，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用pn结型结构，有的采用改进的pin结构。其正向压降高于普通二极管1-2v，反向耐压多在1200v以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下.因此相比较之下，asemi肖特基二极管与快恢复二极管各有各的优势，两者互相弥补，成就了asemi整流12年的佳话！