大功率IGBT测试仪加工货源好价格「华科智源」

2主要技术参数 1基本参数 功率源： 5000v 1200a 2栅极-发射极漏电流iges iges： 0.1-10ua±2%±0.01ua 集电极电压vce： 0v 栅极电压vge： 0-40v±3%±0.1v 3集电极-发射极电压 集电极电压vces： 100-5000v±2%±10v 集电极电流ices： 0.1-5ma±3%±0.01ma 栅极电压vge： 0v 4集电极-发射极饱和电压vcesat vcesat：0.2-5v 栅极电压vge： ±15v±2%±0.2v 集电极电流ice： 10-1200a±2%±1a 5集电极-发射极截止电流ices 集电极电压vce： 100-5000v±3% 集电极电流ices： 0.1-5ma±3%±0.01ma 栅极电压vge： 0v 6栅极-发射极阈值电压 vgeth： 1-10v±2%±0.1v vce： 12v 集电极电流ice： 30ma±3% 7二极管压降测试 vf： 0-5v±2%±0.01v if： 0-1200a±2%±1a vge： 0v

测试参数： ices 集电极-发射极漏电流 igesf 正向栅极漏电流 igesr 反向栅极漏电流 bvces 集电极-发射极击穿电压 vgeth 栅极-发射极阈值电压 vcesat 集电极-发射极饱和电压 icon 通态电极电流 vgeon 通态栅极电压 vf 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。可---件的i-v特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到excel表格。

目的和用途 该设备用于功率半导体模块igbt、frd、肖特基二极管等的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测问题。 1.2 测试对象 igbt、frd、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通---时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj 100～500mj±5%±2mj 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000a/us 6、开通峰值功率pon：10w～250kw

开通特性测试采用双脉冲测试法。系统的测试原理符合相应的---，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。由计算机设定并控制输出集电极电压vcc值到被测器件的测试要求值一般为被测器件额定电压的1/2，设定±vgg到测试要求值，计算机控制接通开关s1,并控制输出被测双脉冲触发信号，开通和关断被测器件两次，被测器件次开通后，集电极电流ic上升，直至被测器件饱和导通且ic达到测试规定值时，关断被测器件(设为t1时刻)，之后电感l经二极管q1内部二极管续流，ic迅速减小，直至ic降为零时，第二次开通被测器件(设为t2时刻)，此后电感l中的电流向ic转移，ic迅速上升(若l足够大，t1～t2间隔足够短，l中的电流可视为恒流，直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻)，关断被测器件。记录下被测器件ic、vce以及vge在t2～t3之间的导通波形，其中，vce采样到示波器的ch1通道，ic取样到示波器的ch2通道，vge采样到示波器的ch3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。

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