磁控溅射仪报价-了解更多「沈阳鹏程」

磁控方箱生产线介绍

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。　　

主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。　

技术指标：　　-真空度6.7×10-5pa，系统漏率：1×10-7pal/s；　　恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 pa短时间暴露　　-并充干燥氮气后开始抽气　　

镀膜方式：磁控靶为直靶，向下溅射成膜；　　样品基片: 负偏压 -200v　　

样品转盘：在基片传输线上连续可调可控，在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动，计算机控制其水平传递；　　

可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位镀膜。

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溅射镀膜

溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。抽气机组及阀门、管道1套，包含1台进口复合分子泵及变频控制电源680l/s，德国普发hipace700分子泵。通常，利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成，基片作为阳极，真空室中通入0.1-10pa的气或其它惰性气体，在阴极靶1-3kv直流负高压或13.56mhz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面，使得靶原子溅出并沉积在基片上，形成薄膜。溅射方法很多，主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。

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直流磁控溅射技术的原理

沈阳鹏程真空技术有限责任公司——生产、销售磁控溅射产品，我们公司坚持用户为-，想用户之所想，急用户之所急，以诚为本，讲求信誉，以产品求发展，以求生存，我们热诚地欢迎各位同仁合作共创。

直流磁控溅射技术其原理是：在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上-薄膜的。在光学领域中用途-，比如说光学薄膜(如增透膜)、低辐射玻璃和透明导电玻璃等方面得到应用。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。