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    抛-率的影响因素。

    抛光压力：在其他条件不变时，随着压力的提高，抛-率也随之上升，但在实际生产中，当压力到达临界点时，若继续提高压力，抛光效率不但不会弄上升，反而会下降。同一---方在一次“双反”裁决仍处执行过程中，再次针对同一产品申请“双反”调查，在贸易救济调查中实属罕见。抛光温度：温度越高，化学反应速率越快，抛-率越高；ph 值：抛-率与 ph 值成指数函数关系，提高 ph 值，可以加快硅片与抛光液的化学反应速率，提高抛-率；硅片晶体结构： 不同型号、 不同晶向及不同电阻率的硅片， 其面密度及原子、 结合力都不同，因此抛光过程中的化学腐蚀速率有所不同；摩擦力： f ， 为摩擦系数， 为抛光压力。

    用户提交申请后，当地供电企业会安排人刀现场勘查，出具一个接受方案(系统公司也可以出具)，用户可以找当地的系统安装公司根据方案来设计，用户可以自行购买或者全权委托系统安装公司来购买有---资单位的太阳能发电板、逆变器、支架、线缆等，然后进行安装，安装完毕后，供电企业来审核，审核通过后，供电企业会派人安装计量装置(智能电表)、签并网合同，进行并网调试。它是一种新型的、具有广阔发展前景的发电和能源综合利用方式，它倡导就近发电，就近并网，就近转换，就近使用的原则，不仅能够有效提高同等规模光伏电站的发电量，同时还有效解决了电力在升压及长途运输中的损耗问题。大概一个月左右时间可以完成。

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内圆切割：内圆刀片、一片一片切割、刀缝 280 350 m 、品种变换简单方便、灵活，风险低、效率低、原料损耗高、硅片体型变大、加工参数一致性差。

线切割：钢丝切割线、整锭同时切割、线缝型变小、加工参数一致性好、风险高。180 220 m 、、原料损耗小、硅片体

    硅单晶内圆切割与多线切割的工艺过程：

内圆切割：准备工作 粘结 定向与校对 上机切割 冲洗与去胶 送清洗 。

多线切割：准备工作 定向 粘结 系统调整 上机切割 冲洗去胶 送清洗 。