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光刻胶

在-过程中，正性胶通过感光化学反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以-后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。-后的光刻胶溶解速度几乎是未-的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在-区间显影，负性胶则相反。负性胶由于-区间得到保留，漫射形成的轮廓使显-的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。

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光刻胶的主要技术参数

1、分辨率:区别硅片表-邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量 分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

2、对比度:指光刻胶从-区到非-区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。

3、敏感度:光刻胶上产生一 个-的图形所需一 定波长的小能量值(或小-量)。单位:焦/平方厘米或mj/cm2.光刻胶

的敏感性对于波长更短的深紫外光(duv)、极深紫外光(euv)等尤为重要。

4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的

粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。

5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。

6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀i序中保护衬底表面。

7、表面张力:液体-表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有-的流动性和覆盖。

8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。 同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。

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光刻胶的性能

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光刻胶产品种类多、-性强，是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶-光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同，导致对于材料的感光性能、溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊，要求使用不同品质等级的光刻胶-化学品。