光刻胶 FUTURREX报价承诺守信「赛米莱德」

北京赛米莱德贸易有限公司供应美国futurrex新型lift-off光刻胶nr9-3000py，nr9i-3000py有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来-产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据-能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用rr5去胶液可以很容易的去胶 nr9-3000py的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。

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光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片wafer clean

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术例goldfinger mach2清洗系统、美国ssec公司的双面檫洗技术例m3304 dss清洗系统、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术用电介超纯离子水清洗使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。《集成电路产业发展推进纲要》，提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备，开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”。

nr77-25000p,rd8

 品牌

 产地

 型号

 厚度

 -

 应用

 加工

 特性

 futurrex

 美国

 nr71-1000py

 0.7μm~2.1μm

 高温耐受

 用于i线-的负胶

 ledoled、

     显示器、

 mems、

     封装、

     生物芯片等

     金属和介电

     质上图案化，

     不必使用rie

     加工器件的永

    组成

    oled显示

     器上的间隔

     区凸点、

     互连、空中

     连接微通道

     显影时形成光刻胶倒

     梯形结构

     厚度范围：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h线-波长

     对生产效率的影响：

     金属和介电质图案化

     时省去干法刻蚀加工

     不需要双层胶技术

 nr71-1500py

  1.3μm~3.1μm

 nr71-3000py

 2.8μm～6.3μm

 nr71-6000py

 5.7μm~12.2μm

 nr9-100py

 粘度增强

 nr9-1500py

 nr9-3000py

 2.8μm~6.3μm

 nr9-6000py

 nr71g-1000py

  负胶对  g、h线波长的灵敏度

 nr71g-1500py

 nr71g-3000py

 nr71g-6000py

 nr9g-100py

 0.7μm～2.1μm

 nr9g-1500py

 1.3μm～3.1μm

 nr9g-3000py

 nr9g-6000py

 耐热温度

 pr1-500a

 0.4μm～0.9μm

光刻胶

光刻胶组分及功能

光引发剂

光引发剂吸收光能辐射能后经激发生成活性中间体，并进一步引发聚合反应或其他化学反应，是光刻胶的关键组分，对光刻胶的感光度、分辨率等起决定性作用。

树脂

光刻胶的基本骨架，是其中占比较大的组分，主要决定-后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、-前后对溶剂溶解度的变化程度、光学性能、耐老化性、耐蚀刻性、热稳定性等。

溶剂

溶解各组分，是后续聚合反应的介质，另外可调节成膜。

单体

含有可聚合-团的小分子，也称之为活性稀释剂，一般参加光固化反应，可降低光固化体系粘度并调节光固化材料的各种性能。