NR74G 6000PY光刻胶价格货源好价格「多图」

芯片光刻的流程详解一

在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法-nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，niepce在1827年制作了一个damboise-的雕板相的产品。只有在应用过程中才能发现问题，解决问题，不断提升技术、工艺与产品水平，实现我国关键电子化学品材料的国产化，完善我国集成电路的产业链，满足和重点产业的需求。

niepce的发明100多年后，即第二次大战期间才应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了x-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。10．我们是oled，我们有一种制程上需要一层spacer，那种光阻适合。

光刻胶

光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。此外，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光-后，它在显影液中的溶解度会发生变化。按照-波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶300~450nm、深紫外光刻胶160~280nm、极紫外光刻胶euv，13。

分类

根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。

正胶

-前对显影液不可溶，而-后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。

优点：分辨率高、对比度好。

缺点：粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。

灵敏度：-区域光刻胶完全溶解时所需的能量

负胶egative






photo resist

与正胶反之。

优点： -的粘附能力和抗刻蚀能力、感-度快。

缺点： 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率。

灵敏度：保留-区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。

光刻胶组分及功能

光引发剂

光引发剂吸收光能辐射能后经激发生成活性中间体，并进一步引发聚合反应或其他化学反应，是光刻胶的关键组分，对光刻胶的感光度、分辨率等起决定性作用。

树脂

光刻胶的基本骨架，是其中占比较大的组分，主要决定-后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、-前后对溶剂溶解度的变化程度、光学性能、耐老化性、耐蚀刻性、热稳定性等。

溶剂

溶解各组分，是后续聚合反应的介质，另外可调节成膜。

单体

含有可聚合-团的小分子，也称之为活性稀释剂，一般参加光固化反应，可降低光固化体系粘度并调节光固化材料的各种性能。