大功率IGBT测试仪厂家-「多图」

测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。集成vga显示接口、4个pci接口、6个串口、6个μsb接口等。 功率模块的vce-ic特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行-管理，可有效保障机车中间直流环节-运行。 igbt模块vce-ic特线单管，vcesat随电流变大而增大。

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3.2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3.3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 vge(th) 栅极阈值电压 0.1～10v vge：0.1～10v±1%±0.01v；由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动mosfet及igbt的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换。 解析度：0.01v 集电极电流ic： 10～50ma±1%±0.5ma； 50～200ma±1%±1ma； 200～1000ma±1%±2ma；

5、感性负载

5.1 有效电感 l 100 200 500 1000 μh；

5.2 电流 ic 1000 1000 1000 500 a；

外部电感成阵列的内部连接。外部电感的h值传给pc，以计算电流源的-，-脉宽到1000us。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5ω，5ω，10ω等；

6.2 开启trun-on输出电压 vge+ ： +15v；

6.3 关断trun-on输出电压 vge- ： -15v；

6.4 脉宽： 10 ~ 1000us 单脉冲、双脉冲总时间；

6.5 电压开关时间： < 50ns；

6.6 输出内阻： < 0.5ω；

技术要求

3.1整体技术指标

3.1.1 功能与测试对象

*1功能

gbt模块动态参数测试。

*2测试对象

被测器件igbt模块动态参数。测试温度范围 tj=25°及125°。

3.1.2 igbt模块动态测试参数及指标

测试单元对igbt模块和frd的动态参数及其他参数的定义满足-iec60747-9以及iec60747-2。

以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。

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