封装用IGBT测试仪厂家-「华科智源」

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3.2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3.3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 vge(th) 栅极阈值电压 0.1～10v vge：0.1～10v±1%±0.01v； 解析度：0.01v 集电极电流ic： 10～50ma±1%±0.5ma；产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达。 50～200ma±1%±1ma； 200～1000ma±1%±2ma；

igbt半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下：

?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益；

?半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以---出厂产品的合格率；

?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型igbt大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以---出厂产品的稳定性、---性；

?航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型igbt大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以---出厂产品的稳定性、---性；

静态及动态测试系统 技术规范 供货范围一览表 序号 名称 型号 单位 数量 1 半导体静态及动态测试系统 hustec-2010 套 1 1范围 本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。对其测试数据---满意，解决了---功率器件因无法测试给机车在使用带来的工作不稳定、器件易烧坏、易等问题。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。

6短路保护放电回路 紧急情况下快速放电，---紧急情况时快速使设备处于安全电位。 ?回路耐压 dc10kv ?igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试，在igbt的检测中，采用大电流脉冲对igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测。放电电流 10ka5ms ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 7正常放电回路 用于设备正常关机时放电，使设备处于安全电位。 ?回路耐压 10kv ?放电电流 50a ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 8高压大功率开关 ?电流能力 2000a ?隔离耐压 10kv ?响应时间 150ms ?脉冲电流 20ka不小于10ms ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4mpa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

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