十堰肖特基二极管原理的行业须知「强元芯电子」

mbr1045ct采用俄罗斯米克朗(mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为---，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料---浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在品质工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，外观光滑自然美观。

ul为美国安规，是上安全试验和鉴定机构整流桥

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激光打标，解决油墨丝印易掉色问题，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料

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了解了肖特基二极管的基本原理，那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗？接下来就由asemi------为您解析这一问题。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以n型半导体为基片，在上面形成用shen作掺杂剂的n-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(sio2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。n型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较h-层要高100%倍。

asemi新型高压sbd的结构和材料与传统sbd是有区别的。传统sbd是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(si)或(gaas)。由于电子比空穴迁移率大，为获得---的频率特性，故选用n型半导体材料作为基片。为了减小sbd的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在n+衬底上外延一高阻n-薄层。

asemi高压sbd

长期以来，在输出12v~24v的smps中，次级边的高频整流器只有选用100v的sbd或200v的fred。在输出24v~48v的smps中，只有选用200v~400v的fred。设计者迫切需要介于100v~200v之间的150vsbd和用于48v输出smps用的200vsbd。近两年来，美国ir公司和apt公司以及st公司-高压sbd的---商机，先后开发出150v和200v的sbd。这种高压sbd比原低压sbd在结构上增加了pn结工艺，形成肖特基势垒与pn结相结合的混合结构