变频器用IGBT测试仪价格近期行情「华科智源」

如何检测元件有老化的现象？2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3。 半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给---在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。 何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会---烧毁或造成性的损坏。

11动态测试续流二极管

用于防止测试过程中的过电压。

?压降小于1v

?浪涌电流大于20ka

?反向恢复时间小于2μs

?工作温度 室温～40℃

?工作湿度 <70%

12安全工作区测试续流二极管

?浪涌电流 大于20ka

?反向恢复时间 小于2μs

?工作湿度 <70%

13被测器件旁路开关

被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。

?电流能力 dc 50a

?隔离耐压 15kv

?响应时间 150ms

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4mpa

?工作湿度 <70%

9尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的igbt器件电压过冲。 ?电容容量 200μf ?分布电感 小于10nh ?脉冲电流 2ka ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000v(2只串联) ?-di/dt大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降小于1v ?浪涌电流大于20ka ?反向恢复时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12安全工作区测试续流二极管 ?任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备---运行具有---重要。反向电压 12kv(3只串联) ?-di/dt 大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降 小于1v ?浪涌电流 大于20ka ?反向恢复时间 小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

4验收和测试 3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。 4)测试单元发货到买方前，卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。igbt静态参数测试部分主要材料技术要求 1阈值电压测试电路 阈值电压测试电路仅示出iec标准测试电路 。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。

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