甘肃实验太阳能板电池板择优「多图」

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硅片的化学清洗总结

硅片清洗的一般原则是首先去除表面的有机沾污；然后溶解氧化层也会引入外延缺陷；后再去除颗粒、金属沾污，同时使表面钝化。因为氧化层是 “沾污- ”，清洗硅片的清洗溶液必须具备以下两种功能 :

(1) 去除硅片表面的污染物。 溶液应具有高氧化能力，可将金属氧化后溶解于清洗液中，同时可将有机物氧化为染物再向硅片表面吸附。这就要求硅片表面和颗粒之间的 co2 和 h2o ； 

(2) 防止被除去的污z 电势具有相同的极性，使二者存在相斥的作用。 在碱性溶液中， 硅片表面和多数的微粒子是以负的 z 电势存在， 有利于去除颗粒；在酸性溶液中，硅片表面以负的 z 电势存在，而多数的微粒子是以正的 z 电势存在，不利于颗粒的去除。