变频器用IGBT测试仪厂家产品介绍「在线咨询」

2主要技术参数 1基本参数 功率源： 5000v 1200a 2栅极-发射极漏电流iges iges： 0.1-10ua±2%±0.01ua 集电极电压vce： 0v 栅极电压vge： 0-40v±3%±0.1v 3集电极-发射极电压 集电极电压vces： 100-5000v±2%±10v 集电极电流ices： 0.1-5ma±3%±0.01ma 栅极电压vge： 0v 4集电极-发射极饱和电压vcesat vcesat：0.2-5v 栅极电压vge： ±15v±2%±0.2v 集电极电流ice： 10-1200a±2%±1a 5集电极-发射极截止电流ices 集电极电压vce： 100-5000v±3% 集电极电流ices： 0.1-5ma±3%±0.01ma 栅极电压vge： 0v 6栅极-发射极阈值电压 vgeth： 1-10v±2%±0.1v vce： 12v 集电极电流ice： 30ma±3% 7二极管压降测试 vf： 0-5v±2%±0.01v if： 0-1200a±2%±1a vge： 0v

华科智源igbt测试仪制造标准 华科智源igbt测试仪hustec-1200a-mt除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满---下标准的版本。5环境湿度：50%±20%相对湿度4、动态测试基本配置4。 gb/t 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管igbt gb 13869-2008 用电安全导则 gb19517-2004 电器设备安全技术规范 gb 4208-2008 外壳防护等级ip 代码iec 60529：2001，idt gb/t 191-2008 包装储运图示标志 gb/t 15139-1994 电工设备结构总技术条件 gb/t 2423 电工电子产品环境试验 gb/t 3797-2005 电气控制设备 gb/t 4588.3-2002 印制板的设计和使用 gb/t 9969-2008 工业产品使用说明书总则 gb/t 6988-2008 电气技术用文件的编制 gb/t 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器 gb/t 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管

静态及动态测试系统 技术规范 供货范围一览表 序号 名称 型号 单位 数量 1 半导体静态及动态测试系统 hustec-2010 套 1 1范围 本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs3。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。

4验收和测试 1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。3igbt饱和压降/frd正向导通压降测试电路通态压降测试电路 。由卖方现场安装、测试，买方确认测试合格通过后完成验收。 2)卖方负责组织和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。培训后，应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。

声明提示：

本页信息（文字、图片等资源）由用户自行发布,若侵犯您的权益请及时联系我们，我们将迅速对信息进行核实处理。