变频器用IGBT测试仪批发-「华科智源」

3设备的功能特点 1各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。 2具有大容量的数据采集能力。测试数据直接进入控制电脑，这样使得采集数据的容量为---大。等领域，使半导体开发---在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。 3具有内置的软件，帮助提供自动判断。 4具有方便的历史数据存储及检索功能。

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3.2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3.3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 vge(th) 栅极阈值电压 0.1～10v vge：0.1～10v±1%±0.01v； 解析度：0.01v 集电极电流ic： 10～50ma±1%±0.5ma； 50～200ma±1%±1ma；功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。 200～1000ma±1%±2ma；

5、感性负载

5.1 有效电感 l 100 200 500 1000 μh；

5.2 电流 ic 1000 1000 1000 500 a；

外部电感成阵列的内部连接。外部电感的h值传给pc，以计算电流源的---，---脉宽到1000us。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5ω，5ω，10ω等；

6.2 开启trun-on输出电压 vge+ ： +15v；

6.3 关断trun-on输出电压 vge- ： -15v；

6.4 脉宽： 10 ~ 1000us 单脉冲、双脉冲总时间；

6.5 电压开关时间： < 50ns；

6.6 输出内阻： < 0.5ω；

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