其实，通过对比的话，碳化硅球与碳化硅在成分方面并没有太大的区别，但碳化硅球具有粒度统一的优点，通过合理的应用碳化硅球，能充分利用碳化硅球，减少对碳化硅球的浪费。当掺入极微量的电活性杂质，其电导率将会-增加，当硅中掺杂以施主杂质为主时，以电子导电为主，成为n型硅。然而，由于碳化硅球是由碳化硅粉，碳化硅粒压制而成的，主要组成部分也是碳化硅，所以，为了-碳化硅球的品质，也需要注意碳化硅的品质。
在冶炼碳化硅时，之所以会出现粗细不均勾，主要在于炉心装置不均匀，例如尺寸不均、加压不均、有大块杂物等。光纤通信容量高，一根头发丝那么细的玻璃纤维，可以同时传输256路电话。另外，炉心下部料密度过低，造成炉心下沉多，易发生下沉不均现象；炉心上部料高度不均造成对，炉心的压力不均等都会引起结晶筒的粗细不均勾。采用小炉心时，这一现象更易发生。
硅属元素周期表第三周期tv a族，原子序数14，原子量28.085。 硅原子的电子排布为1s 2s 2p 3s~3p，原子价主要为4价，其次为2价，冈而硅的化合物有二价化合物和四价化合物，四价化合物比较稳定。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管、场效应管和各种集成电路包括人们计算机内的芯片和cpu都是用硅做的原材料。地球上硅的丰度为25.8%。硅在白然界的同位素及其所占的比例分别为:28si为92.23%，29si为4.67%，30si为3.10%。硅品体中原子以共价键结合，并具有正四面体晶体学特征。在常压下，硅品体具有金刚石型结构，品格常数a=0.5430nm，加压至igpa,则变为面心立方型，a=o. 6636nm.
硅是重要的元素半导体，是电子工业的基础材料。
硅的分布： 硅主要以化合物的形式，作为仅次于氧的丰富的元素存在于地壳中，约占地表岩石的四分之一，广泛存在于硅酸盐和硅石中。压制后的石墨粉，因为是固体块状，没有多孔隙结构，所以吸收速度和吸收率不如煅烧、焙烧成型的增碳剂。 制备 工业上，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 化学反应方程式： sio2 + 2c *** si + 2co 这样制得的硅纯度为97~98%，叫做金属硅。再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7~99.8%的金属硅。
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