大功率IGBT测试仪--「在线咨询」

3设备的功能特点 1各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。 2具有大容量的数据采集能力。4验收和测试 3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。测试数据直接进入控制电脑，这样使得采集数据的容量为---大。 3具有内置的软件，帮助提供自动判断。 4具有方便的历史数据存储及检索功能。

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3.2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3.3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 vge(th) 栅极阈值电压 0.1～10v vge：0.1～10v±1%±0.01v； 解析度：0.01v 集电极电流ic： 10～50ma±1%±0.5ma；5雪崩技术条件 1、vce：50～500v±3%±5v500～1000v±3%±5v 2、ic：1a～50a 1a～9。 50～200ma±1%±1ma； 200～1000ma±1%±2ma；

主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

vce

集射极电压 150～3300v 150～500v±3%±1v；

500～1000v±2%±2v；

1000～3300v±1%±5v； 150～3300v

ic

集射极电流 1～200a 1～200a±3%±1a； 1～200a

vge

栅极电压 -30v～30v -30～0v±1%±0.1v；

0～+30v±1%±0.1v -30v～30v

qg

栅极电荷 400~20000nc ig: 0～50a±3%±0.1ma; 400~20000nc

td(on)、td(off)

开通/关断--- 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

eon、eoff

开通/关断能量 1～5000mj 1～50mj±2%±0.1mj；

50～200mj±2%±1mj；

200～1000mj±2%±2mj；

1000～5000mj±1%±5mj；

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