NR9 3000PY光刻胶价格在线咨询 北京赛米莱德公司
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光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,---是近年来-和---规模集成电路的发展,更是大---进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的就是用于印刷工业的,以后才用于电子工业。 [1] 光刻胶是一种有机化合物,它被紫外光---后,在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面,而后---燥成胶膜。
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硅片制造中,光刻胶的目的主要有两个:1将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中;2在后续工艺中,保护下面的材料例如刻蚀或离子注入阻挡层。
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光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2] 。
光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占ic制造50%左右,成本约占ic生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的对光刻工艺有着重要影响。
光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上,为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线---后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显---,被---的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。
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光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。如图2.5所示,wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。几滴光刻胶溶液就被滴到旋转中的wafer的中心,离心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻胶溶液黏着在wafer上形成一层均匀的薄膜。多余的溶液从旋转中的wafer上被甩掉。薄膜在几秒钟之内就缩到它后期的厚度,溶剂很快就蒸发掉了,wafer上就留下了一薄层光刻胶。然后通过烘焙去掉后面剩下的溶剂并使光刻胶变硬以便后续处理。镀过膜的wafer对特定波成的光线很敏感,---是紫外uv线。相对来说他们仍旧对其他波长的,包括红,橙和黄光不太敏感。所以大多数光刻车间有特殊的黄光系统。
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