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第三代半导体材料，主要代表碳化硅和氮化相对于前两代半导体材料而言，在高温、高压、高频的工作环境下有着明显的优势。

碳化硅早在1842年就被发现了，直到1955年才开发出生长碳化硅晶体材料的方法，1987年商业化生产的的碳化硅才进入市场，21世纪后碳化硅的商业应用才算铺开。

与硅相比，碳化硅具有更高的禁带宽度，禁带宽度越宽，临界击穿电压越大，高电压下可以减少所需器件数目。具有高饱和电子飘逸速度，制作的元件开关速度大约是硅的3-10倍，高压条件下能高频操作，所需的驱动功率小，电路能量损耗低。具有高热导率，可减少所需的冷却系统，也更适用于高功率场景下的使用，一般的硅半导体器件只能在100℃以下正常运行，器件虽然能在200℃以上工作，但是效率---下降，而碳化硅的工作温度可达600℃，具有很强的耐热性。并且混合sic器件体积更小，工作损耗的降低以及工作温度的上升使得集成度提高，体积减小。

一般来说，碳化硅耐火材料具有多方面的优良性能，例如，在比较宽的温度范围内具有高的强度、高的抗热震性、优良的耐磨性能、高的热导率、耐化学腐蚀性等。不过，也应看到，它的弱点是能力差，由此而造成高温积胀大、变形等降低了使用寿命。

为了提高碳化硅耐火材料的性能，在结合剂方面做了不少的选择工作。使用粘土(包括氧化物)结合，但并未能起到保护作用，碳化硅颗粒仍然受到氧化和侵蚀。50年代末，选择用氮化硅(si3n4)结合，作为碳化硅耐火材料的改进产品，确实具有---的性(见图1)，且无---的膨胀现象。但是价格较贵；加之在反复加热冷却时有突然破坏的可能；而氮化硅本身的网络结构带有渗透性，不能从---上保护碳化硅不被氧化。60年代初，又出现了用氧氮化硅(si2on2)结合的碳化硅耐火材料，比之氮化硅结合具有---的性能，因为氧氮化硅粘附于碳化硅表面的氧化硅薄膜，并与其反应形成和碳化硅牢固结合的连续保护膜。同时，这种材料的价格适当，相当于用氧化物结合的碳化硅材料。

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