NR9 3000P光刻胶报价源头货 赛米莱德
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硅片制造中,光刻胶的目的主要有两个:1将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中;2在后续工艺中,保护下面的材料例如刻蚀或离子注入阻挡层。
分类
光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2] 。
光刻胶经过几十年不断的发展和进步,应用领域不断扩大,衍生出非常多的种类,按照应用领域,光刻胶可以划分为印刷电路板(pcb)用光刻胶、液晶显示(lcd)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中,pcb 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
(1)半导体用光刻胶
在半导体用光刻胶领域,光刻技术经历了紫外全谱(300~450nm)、g 线(436nm)、i 线 (365nm)、深紫外(duv,包括 248nm 和 193nm)和极紫外(euv)六个阶段。相对应于各---波长的光刻胶也应运而生,光刻胶中的关键配方成份,如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化,使光刻胶的综合性能---地满足工艺要求。
(2)lcd光刻胶
在lcd 面板制造领域,光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象的不同,可分为 rgb 胶(彩色胶)、bm胶(黑色胶)、oc 胶、ps 胶、tft 胶等。
光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准---、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤,以实现图形的转移,制造特定的微结构。
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光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需 要的模板图案。光刻胶又称光致抗蚀剂,是以智能
管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化台物、基体材料和溶剂。在感光化台物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和
正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类
2、正性光刻胶
主要以---醒为感光化台物,以酚醛树脂为基体材料。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
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光刻胶一般由4种成分组成:树脂型聚合物、光活性物质、溶剂和添加剂。树脂是光刻胶中占比较大的组分,构成光刻胶的基本骨架,主要决定---后光刻胶的基本性能,包括硬度、柔韧性、附着力、耐腐蚀性、热稳定性等。光活性物质是光刻胶的关键组分,对光刻胶的感光度、分辨率等其决定性作用。
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的---参数。随着集成电路的发展,芯片制造特征尺寸越来越小,对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的---参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要,光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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