轨道交通用IGBT测试仪价格服务为先「华科智源」

主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

vce

集射极电压 150～3300v 150～500v±3%±1v；

500～1000v±2%±2v；

1000～3300v±1%±5v； 150～3300v

ic

集射极电流 1～200a 1～200a±3%±1a； 1～200a

vge

栅极电压 -30v～30v -30～0v±1%±0.1v；

0～+30v±1%±0.1v -30v～30v

qg

栅极电荷 400~20000nc ig: 0～50a±3%±0.1ma; 400~20000nc

td(on)、td(off)

开通/关断--- 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

eon、eoff

开通/关断能量 1～5000mj 1～50mj±2%±0.1mj；

50～200mj±2%±1mj；

200～1000mj±2%±2mj；

1000～5000mj±1%±5mj；

9尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的igbt器件电压过冲。 ?电容容量 200μf ?分布电感 小于10nh ?脉冲电流 2ka ?工作温度 室温～40℃ ?2关断：turnoff(tdoff,tf,eoff,ic,poff)。工作湿度 <70% 11动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000v(2只串联) ?-di/dt大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降小于1v ?浪涌电流大于20ka ?反向恢复时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kv(3只串联) ?-di/dt 大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降 小于1v ?浪涌电流 大于20ka ?反向恢复时间 小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

4验收和测试 1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，买方确认测试合格通过后完成验收。1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3。 2)卖方负责组织和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。培训后，应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。

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