NR9 3000PY光刻胶厂家-「赛米莱德」
光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过-后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显-被溶解,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过-后,受到光照的部分会变得不易溶解,经过显-,留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早,其工艺成本低、产量高,但由于它吸收显影液后会膨胀,导致其分辨率即光刻工艺中所能形成图形不如正胶,因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术,主要使用正胶作为光刻胶。
光刻胶市场需求逐年增加,2018年全球半导体光刻胶销售额12.97亿美元,而国内光刻胶需求量方面,2011年光刻胶需求量为3.51万吨,到2017年需求量为7.99万吨,年复合增长率达14.69%。
国内光刻胶需求量远大于本土产量,且差额逐年扩大。由于中国-光刻胶市场起步晚,目前技术水平相对落后,生产产能主要集中在pcb光刻胶、tn/stn-lcd光刻胶等中低端产品,tft-lcd、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少。
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光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被拷贝在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是较好的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。
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