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光刻胶趋势
半导体光刻胶领域全球市场规模趋于稳定, 2017年全球市场约13.5亿美元;-约20.2亿元,近5年复合增速达12%。受全球半导体市场复苏和国内承接产业转移,预计全球光刻胶市场将保持稳定增速,国内市占率稳步抬升。
光刻胶生产、检测、评价的设备价格昂贵,需要一定前期资本投入;光刻胶企业通常运营成本较高,下游厂商采购时间较长,为在设备、研发和技术服务上取得竞争优势,需要足够的中后期资金支持。正胶的图像与掩模板的图像是一致的,故此叫正胶,利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。企业持续发展也需投入较大的资金,光刻胶行业在资金上存在较高的壁垒,国外光刻胶厂商相对于国内厂商,其公司规模,具有资金和技术优势。
总体上,光刻胶行业得到层面上的政策支持。“10次方的光刻胶经过多次烘烤,由于达不到客户需求的防静电作用,不能应用到新一代窄边框等面板上。《集成电路产业发展推进纲要》,提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备,开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”;重点支持的-领域2015中提到“高分辨率光刻胶及配套化学品作为精细化学品重要组成部分,是重点发展的新材料技术”;光刻技术包括光刻胶是《中国制造 2025》重点领域。
光刻胶
光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成,又被称为光致抗蚀剂,这是一种对光非常敏感的化合物。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上,布局不合理、不完整,-是生产加工环节的投资,而忽视了重要的基础材料、装备与应用研究。此外,光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光-后,它在显影液中的溶解度会发生变化。
分类
根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。
正胶
-前对显影液不可溶,而-后变成了可溶的,能得到与掩模板遮光区相同的图形。
优点:分辨率高、对比度好。
缺点:粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。
灵敏度:-区域光刻胶完全溶解时所需的能量
负胶egative
photo resist
与正胶反之。
优点: -的粘附能力和抗刻蚀能力、感-度快。
缺点: 显影时发生变形和膨胀,导致其分辨率。
灵敏度:保留-区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。
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