铂蒸发镀靶材工艺-「东创-」

在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸300衄口的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有---的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系---，过99.995%4n5纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。

镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的---破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等，即可得到不同的膜系如超硬、耐磨、防腐的合金膜等。现在行业中通用的测量方法基本是手动进行的，其劣势在于手动测试受人为因素(用力的大小，接触面积等)影响较大，手动测试无法实现同一被测物目标的多次数值的重现，手动测试时只能达到每次测试出来一个数值，无法做产品的分析。

什么是靶材绑定？靶材绑定的适用范围、流程？

 绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要有三种的方式：压接、钎焊和导电胶。

 1.压接：采用压条，一般为了提高接触的---性，会增加石墨纸、pb或in皮；

 2.钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20w/cm2，钎料常用in、sn、in-sn；我司采用铟焊绑定技术。

 3.导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。

1：金属镀钯，镀钯铜提钯技术：首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中，再加入自配退钯溶液，数秒中后表面钯退净，取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害,再用自配化学试剂，钯和溶液分离

 2：合金含钯，铜钯合金提钯技术：把铜钯合金放入容器中，加入自配化学品把铜钯合金溶解成液体，再用自配化学试剂把钯和溶液分离。

 3：废钯碳催化剂提钯，首先用物理原理把碳等有机物去除，剩下金属钯，再用化学试剂溶解金属钯，再进行下一步钯分离。