路灯拆卸组件价格-「在线咨询」
电池片的制作工艺
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,-测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,-偿还,返工,光伏模块回收等。
影响因素
1 .频率
射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率 >;4mhz 沉积的氮化硅薄膜具有-的钝化效果和稳定性。
2 .射频功率
增加 rf 功率通常会- sin 膜的。但是,功率密度不宜过大,超过 1w/cm2 时器件会造成-的射频损伤。
3 .衬底温度
pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ~ 400 ℃ 。这样能-氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率,并有较低的本征压力,从而有-的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜,本征应力很大且为张应力,而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 .气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜,选择nh3/sih4=2~20 体积比。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率,通常采用较大的气体总流量,以-沉积的均匀性。
5 .反应气体浓度
sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比,对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。
理想 si3n4 的 si/n = 0.75 ,而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,但多为富硅膜,可写成 sin 。因此,必须控制气体中的 sih4 浓度,不宜过高,并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外, pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 .反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
1. 通过测试数据监控生产电池片的效率及暗电流等参数是否正常。
2. 对生产的电池片进行分档,将相同电性能的电池片分在一起以便做成组件。
标准测试条件
1. 光源辐照度: 1000w/m2 。
2. 测试温度: 25℃ 。
3.am1.5地面太阳光谱辐照度分布。
测试参数
1. 开路电压
在一定的温度和辐照度条件下,太阳电池在空载情况下的端电压,用 v oc 表示, pn 结开路,即 i=0 ,此时 pn 结两端的电压即为开路电压。将i=0 代入伏安特性方程得:
ktln(i l /i s +1)/q 。太阳电池的开路电压与电池面积大小无关。太阳电池的开路电压与入射光谱辐照度的对数成正比。
太阳电池片标准
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,-测试,二手,旧工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,-偿还,返工,光伏模块回收等。
5.1.5 尺寸
电池尺寸的检验采用分辨力优于0.02mm 的卡尺测量,电池的厚度采用分辨力优于 0.01mm 的千分尺测量。
电池的角度偏差采用分辨力优于0. 1° 的量角器测量。
电池的厚度偏差和总厚度偏差检验参照 gb/t6618 进行
5.1.6 外观
在照度不小于 800lux的白色光源下对电池的表面颜色进行目测。
电池的崩边、钝性缺口等外观缺损的尺寸检测,采用分辨力优于 0.02mm 的量具测量。 5.2 力学性能
5.2.1 弯曲变形
使用表面平整度优于0.01mm 平台,电池背面朝下水平放置,用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。
5.2.2 电极附着强度或电极 / 焊点抗拉强度
电极的附着强度和电极 / 焊点的抗拉强度试验采用同一方法,。将一根长 150mm ,宽 1.7mm 的焊锡条引线焊接在电池电极上,焊接长度为 10mm ,焊接以不虚焊为准,在与焊接面成 45 °对引线施加拉力,逐渐加大拉力,在拉力不低于 2.49n 的情况下持续 10s 以上。
5.3 电性能
5.3.1 电性能参数的温度系数测量电池的温度系数测量按sj/t 10459 进行。
5.3.2 电性能参数测量
电池的电性能参数测量按gb/t6495.1 和 gb/t6495.3进行。
5.3 热循环试验
将测试电池样品间隔的放置在环境试验箱相对湿度小于 60% 中,按图 4 的温度分布,使电池的温度在 -40 ℃± 2 ℃ 和 85 ℃± 2 ℃ 之间循环。在两个-温度的保持时间不少于 10min ,循环次数 5 次。再按本标准的规定对电池的外观、力学性能和电池转换效率进行检测。
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