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金锡合金预成型焊片的制备

    ausn合金具有优异的抗劳疲性能、耐腐蚀性能、高热导率和免助焊剂等优点,是目前低温钎料中唯可以替代高熔点铅基合金的无铅钎料,被广泛应用于微电子和光电子器件的陶瓷封盖封装、金属与陶瓷封盖间的绝缘子焊接、芯片贴砖以及大功率激光器半导体芯片的焊接。目前已经投入应用的ausn合金钎料制备技术,如叠层扩散法、熔铸增韧法等方法存在着合金化不充分,工艺周期长等不足。此外,对于ausn合金在焊接中与基板间的界面反应研究较少,无法为焊接工艺的优化提供---的理论参考。本研究在熔铸拉拔法工艺的基础上,改进熔铸工艺及压延工艺参数,利用真空熔铸工艺制备出的金锡合金预成型焊片。调整原料中au元素比例与浇铸温度,研究合金铸锭显微组织的变化,以及对合金成分、导电率及熔点的影响;采用不同的压延温度与单道次变形量制备金锡箔带,分析研究压延参数对箔带表面及铺展系数等性能的影响;使用扩散焊接技术,制备ausn/cu焊点,研究钎料焊接性能,及焊接参数对焊点---性的影响,研究焊接温度及保温时间ausn/cu之间界面反应速率的影响。

金锡预成型焊片界面反应

金川岛新材料科技深圳有限公司创立于2009年6月,致力于精密电子封装材料、新型焊接材料的研发、生产、销售于一体的---技术型企业，是国内高精密电子装配材料方案解决提供厂商。   

   浇铸温度为400℃,原料中金锡比为79:21时真空熔铸、冷模浇铸可以得到具有细小岛屿状组织的金锡合金铸锭。合金中主要存在ζ-au_5sn相与σ-ausn相,两相比例与共晶成分接近。压延温度为140℃,单道次变形量为16%时,金锡箔带表面平整性好,无裂纹产生。ausn/cu界面反应实验表明,界面反应中金属间化合物(imc)的厚度随着焊接温度与保温时间的增加而逐渐增大,imc层由平直的层状结构向不规则的胞状结构转变。焊点的剪切强度随着imc层的增厚而变化,在焊接温度为310℃、保温1h时,焊点剪切强度较高。在焊接温度为290℃/310℃,保温时间为0.5h/1h时,焊点剪切断口的断裂方式为韧性断裂,断裂位置位于imc层与基板界面之间;焊接温度与保温时间继续增---,断裂方式由韧性断裂向解理断裂转变,断裂发生在imc层内部。

金锡盖板预成型焊片凸台形焊片通过iso体系

一种半导体器件的金锡环封盖工艺方法,包括以下特征:

(1)预先加工适于半导体器件封盖的定位夹具,

(2)设定真空加热的温度曲线;

(3)选用合适的au80sn20预成型金锡环焊片;

(4)对器件,盖板和金锡环焊片进行预处理;

(5)依次放入定位夹具内,盖上压块,送入真空炉内;

(6)开启真空泵抽真空,真空度达标后按照设定温度曲线加热,壳体和盖板焊接在一起.本方法优点:盖板厚度无要求,封盖后机械强度大,盖板耐压大;对封装的半导体器件材料无要求;封装应力小;无须特殊处理可经受住盐雾试验,使器件在腐蚀性气体下长期---地运行.适用于需要高---性陶瓷金属结构气密封装的微波半导体器件和集成电路.

银基预成型焊片凸台形焊片通过iso体系

银焊料合金除了银之外，银焊料还有其他金属合金化。该合金主要是银，但其他金属为粘合提供了---欢迎的特性。铜 (cu) 很软，是一种---的导热体，而且耐腐蚀。锌 (zn) 和锡 (sn) 的熔点非常低，这会降低焊料的整体熔点。

我之前在了解您的材料时所说的那样，您必须始终---您使用的焊料在比您要连接的材料低的温度---动。使用银时，0.999 纯银的熔点为 1761 华氏度，纯银为 1640 华氏度。使用焊料时，由于多步焊接的复杂性，有多个流动点可用。

金川岛银基合金分软硬钎焊料两类，是目前焊料中较广泛的钎料，由于共晶熔点熔点从140-1115℃，---的导电性，耐热性，扛腐蚀性也较好的中低温合金软钎焊料。