贴片肖特基二极管-「多图」

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asemi解析肖特基势垒二极管工作原理：

随着电子不断从b扩散到a，b表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为b***a。但在该电场作用之下，a中的电子也会产生从a***b的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

肖特基(schottky)二极管的特点是正向压降 vf 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要多做考虑。

另外，除了普通pn结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的sbd电气参数还包括中频阻抗(sbd施加额定本振功率时对特定中频所呈现的阻抗，一般在200ω~600ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。

asemi肖特基二极管与快恢复二极管有什么区别?

这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快恢复二极管更高，trr参数只几ns,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏低自身功耗，但点压不高，一般只能做到200v，现在asemi有做300v的mbr30200pt。更高的参数需求可以详询asemi在线。

肖特基二极管

      优点：

              1.   正向压降小 ：              通常0.4v左右

              2.   反向恢复时间极短:        可达5纳秒

              3.  大的正向电流:                1a---300a之间

     缺点：

             1.反向工作电压vr低:          通常200v以下

             2.漏电流稍大些       :            仅有10ma

    例1：b82-400

           1.反向工作电压vrrm:40v

           2.正向压降vf:0.55v(if=2.0a)

           3.漏电流ir=5ma(vrrm=40v)

          4.整流电流if=5a

          5.浪涌电流ifsm=100a(t=10ms)

例2：1n5817,1n5818,1n5819

          1.反向工作电压vrrm(1n5817,1n5818,1n5819 ):20v,30v,40v

           2.正向压降vf:0.6v(if=1.0a)

           3.漏电流ir=0.1ma(vrrm=40v)

          4.整流电流if=1a

          5.浪涌电流ifsm=25a(t=10ms)