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江苏低温度系数精密电阻高精密电阻VIKING即时留言「多图」

发布者:上海提隆电子有限公司  时间:2022-4-21 
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      采样电阻一般根据具体线路板的要求,分为插件电阻、贴片电阻。采样电阻,阻值低,精密度高,一般在阻值精密度在±1%以内,更高要求的用途时会采用0.01%精度的电阻。由于钛与氧亲和力很强,清理后的工件接触加阻随着存放时间延长而增加,一般存放时间≯24h。国内工厂生产的大部分都是以康铜、锰铜为材质的插件电阻,但是,广大的用户更需要的是贴片的高精密电阻来实现取样功能,这是为了满足产品小型化产品生产的自动化的要求。能够生产在低温度系数,高精密度,---阻值上做到满足用户要求电阻的厂商并不多见。



   

     简而言之因为采样电阻具备低阻抗值(可低至0.25m-50mohm)、精密容差(标准±5%,±1%,也可提供±0.5%)、耐高温使用环境(可达到+275℃)、耐高电流使用、高功率密度、多种外观尺寸、低温度系数(可低至15ppm/℃以下)、等各种性能决定了它测试的作用,我们通常使用一个阻值较小的采样电阻,串联在电路中用于把电流转换为电压信号进行测量。在面对现今顾客多样化的需求下,不断的投入开发---产品及新式制造技术,并提供顾客多元件一次购足的服务,完全满足顾客需求,提升顾客对于本公司产品满意度。


采样电阻特点

采样电阻阻的主要作用是进行电流采样,因此需要---的稳定性与低阻值高功率的特性,因此又被称为取样电阻。

采样电阻的主要特点有如下几点:

1、高功率,因为是合金材质,所以功率在同体积,同阻值的情况下,功率都会比普通低阻高出一倍,如:2512普通低阻是1w的功率,合金电阻的功率就是2w,3w。

2、低阻值,可以做到0r,0.0001r等。

3、高---性,合金采样电阻的温度系数一般是在75ppm及50ppm以内,普通低阻的温度系数一般在200ppm及200ppm以上。




台湾光颉viking豪欧电阻/采样电阻

台湾光颉viking豪欧电阻/采样电阻

合金电阻常用型号

lr12ftds0m50

lr12ftds0m75

lr12ftdsr001

lr12ftds1m50

lr12ftdsr002

lr12ftdrr001g

lr12ftdr1m50g

lr12ftdrr002g

lr12ftdr2m50g

lr12ftdrr003g

lr12ftdr3m50g

lr12ftds6m50g

lr12ftdsr007g

lr12ftdsr008g

lr12ftdsr009g

lr12ftdsr010g




合金电阻特性

       合金电阻特性合金电阻作为电流载体,低阻值,高精密,低温度系数,耐较高的脉冲电流,大功率等特点阻值---,温度稳定性,产品的安全性,稳定性明显高于普通的陶瓷电阻。同时金属的导热性强也是一大优势。薄膜被动元件制造商——台湾光颉科技股份有限公司全球被动元件小型化、高频化及高功率,耐压,抗湿已成为主流。高导热材质可大幅降低电路板上的散热面积,---是在电源以及其它相关产品的应用中,瞬间的冲击电流,短路电流或脉冲电生时,合金当做作为电流介质来检测电流。

      应用领域主要应用于仪器,量测设备,汽车相关控制板,玩具充电控制板,电子电力设备,ups,高频放大器,电源类,变频器,灯具,手机,屏幕,电机,计算机周边控制板,笔记本、电脑主板,电源供应器、逆变器/转换器、锂电池保护板、移动电源充电宝以及led驱动器,lcd控制板。制造流程本体结构合金电阻分为镍铜合金和锰铜合金性能指标合金电阻关键的五项性能指标:p(功率)、v(电压)、i(电流)、r(阻值)、tcr(温漂)电流采样电阻的计算公式:i=√p/r1、功率:贴片电阻的功率是指通过电流时由于焦耳热电阻产生的功率。在高频化的趋势上,我们开发了薄膜式、积层式及绕线式等高频电感元件,亦是全球少数同时拥有此三种制程的制造商,也为了提供更多样不同应用选择,开发了各类功率电感产品,电感精度可达0。根据焦耳定律:p=i2r2、额定功率:是指在某个温度下允许使用的功率,通常指环境温度为70°c时的额定功率3、额定电压:可以根据以下公式求出额定电压v=√p×r4、工作电压:允许加载在贴片电阻两端的电压5、额定电流:i=√p/rt.c.r电阻温度系数与阻值之间关系t.c.r.所使用的单位中的ppm%为百分之一,而ppm为百万分之一温漂的计算,电阻每受1℃的温度变化就会带来电阻阻值的变化。它的计算是原本的阻值加上或减去阻值×**ppm)当mr2512(6432)lr020fts其在工作温度50度时,其阻值范围为多少?20+20*75*50/1000000=20.075mω20-20*75*50/1000000=19.925mω在50度工作温度下,其阻值范围为20.075mω-19.925mω






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