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氮化硅陶瓷材料具有热稳定性高
氮化硅结合碳化硅砖的特点
氮化硅结合碳化硅砖是指用sic和si为原料,经氮化烧成的耐火制品。其特点是以si3n4为结合剂。si3n4以针状或纤维状结晶存在于sic晶粒之间,是一种重要的新型耐火材料。一般含碳化硅70%~75%,氮化硅18%~25%。具有---抗腐蚀能力,1400℃抗折强度达50~55mpa,显气孔率15%。热膨胀系数(4.5~5.0)×10-2℃-1。本产品用于铝电解槽可减薄工作层,扩大电解槽的容积,具有高的导热性能、性能和抗冰晶石侵蚀性能,对高功率铝电解槽尤为适用。采用高温烧成法制备。主要用于高炉风口、铝电解槽内衬等。 氮化硅陶瓷材料具有热稳定性高。由于氮化硅是键强高的共价化合物,并在空气中能形成氧化物保护膜,所以还具有---的化学稳定性,1200℃以下不被氧化,1200~1600℃生成保护膜可防止进一步氧化,并且不被铝、铅、锡、银、黄铜、镍等很多种熔融金属或合金所浸润或腐蚀,但能被镁、镍铬合金、不锈钢等熔液所腐蚀。
相对分子140.28。灰色、白色或灰白色。属高温难溶化合物,无熔点,抗高温蠕变能力强,不含粘结剂的反应烧结氮化硅负荷软化点在1800℃以上;六方晶系。晶体呈六面体。反应烧结法制得的si3n4密度为1.8~2.7g/cm3,热压法制得si3n4密度为3.12~3.22g/cm3。莫氏硬度9~9.5,维氏硬度约为2200,显微硬度为32630mpa。熔点1900℃加压下。通常在常压下1900℃左右分解。比热容0.71j/(g·k)。生成热为-751.57kj/mol。热导率为2-155w/(m·k)。线膨胀系数为2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。用pecvd法镀氮化硅膜后,不但能作为减反射膜可减小入射光的反射,而且,在氮化硅薄膜的沉积过程中,反应产物氢原子进入氮化硅薄膜以及硅片内,起到了钝化缺陷的作用。溶于。在空气中开始氧化的温度1300~1400℃。比体积电阻,20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m。弹性模量为28420~46060mpa。耐压强度为490mpa反应烧结的。1285℃时与二氮化二钙反应生成二氮---,600℃时使过渡金属还原,放出氮氧化物。抗弯强度为147mpa。可由硅粉在氮气中加热或卤化硅与氨反应而制得。电阻率在1015-1016ω.cm。可用作高温陶瓷原料。
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