肖特基二极管特性询价咨询「多图」

mbr1045ct采用俄罗斯米克朗(mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为---，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料---浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在品质工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，外观光滑自然美观。

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采用这种结构的sbd，击穿电压由pn结承受。通过调控n-区电阻率、外延层厚度和p+区的扩散---，使反偏时的击穿电压突破了100v这个长期不可逾越的障碍，达到150v和200v。在正向偏置时，高压sbd的pn结的导通门限电压为0.6v，而肖特基势垒的结电压仅约0.3v，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。

关于肖特基二极管的应用，asemi总结出以下几点：

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(schottky barrier diode)，具有正向压降低0.4—1.0v、反向恢复时间很短0-10纳秒，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150v，多用于低电压场合。