常用肖特基二极管免费咨询 强元芯电子

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为了获得正向压降低和反向漏电流小的sicsbd，采用ni接触与ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(dmt)结构的sicsbd设计方案是可行的。采用这种结构的sicsbd，反向特性与ni肖特基整流器相当，在300v的反向偏压下的反向漏电流比平面型ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于nisbd。采用带保护环的6h-sicsbd，击穿电压达550v。

asemi肖特基二极管与普通二极管之间有什么区别？

肖特基二极管schottky的特点是正向压降 vf 比较小。

在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。

另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。比较适用大电流低电压场合。

在高电压整流电路应用时，还是应该选用普通pn结整流二极管。希望asemi可以帮助你！

肖特基二极管属于低功耗、大电流、速半导体器件，其反向恢复时间可小到几纳秒，正向导通压降仅0.4v左右，而整流电流却可达到几千安。

　　肖特基二极管与pn结二极管在构造原理上有一定区别。这种管子的缺点是反向耐压较低，一般不超过100v，适宜在低电压、大电流的条件下工作。液晶彩电dc-dc变换器中的二极管一般采用的就是肖特基二极管。

　　需要说明的是，很多肖特基二极管和快恢复二极管有三只引脚，外形酷似晶体管。其实，这是一种内含两个肖特基二极管的复合二极管，其中一只脚为公共正极，另两只脚分别为两只二极管的负极，可用万用表方便地进行判断，

什么是肖特基二极管？有何特点意义？

sbd具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60v，仅约100v，以致于---了其应用范围。像在开关电源smps和功率因数校正pfc电路---率开关器件的续流二极管、变压器次级用100v以上的高频整流二极管、rcd缓冲器电路中用600v～1.2kv的高速二极管以及pfc升压用600v二极管等，只有使用快速恢复外延二极管fred和超快速恢复二极管ufrd。目前ufrd的反向恢复时间trr也在20ns以上，---不能满足像空间站等领域用1mhz～3mhz的smps需要。即使是硬开关为100khz的smps，由于ufrd的导通损耗和开关损耗均较大，壳温---，需用较大的散热器，从而使smps体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100v以上的高压sbd，一直是人们研究的课题和关注的---。近几年，sbd已取得了突破性的进展，150v和200v的高压sbd已经上市，使用新型材料制作的超过1kv的sbd也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。