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然后将这些物质加热到硅的熔点——摄氏1420度之上。一旦多晶硅和掺杂剂混合物熔解，便将单晶硅种子放在熔解物的上面，只接触表面。种子与要求的成品硅锭有相同的晶向。为了使掺杂均匀，子晶和用来熔化硅的坩埚要以相反的方向旋转。

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斯坦福大学所展示的这一技术进步则标志着完整的工作电路已被创造出来，表明这种材料可能真的会达到人们的期望。

　硅是一种普遍存在的自然元素，既可当做导体，也可当做绝缘体。硅芯片的生命周期相较计算机---原本的设想已经长了数十年，这是因为虽然晶体管的尺寸在一代代变小，但人们总有相应的---工艺在上面蚀刻电路。

即使2014年的支出已呈大幅度增长态势，前道fab厂的支出仍需在2014年增长至少49%，才能使得设备支出回到2007年的水平。多数情况下，晶圆片仅仅是正面抛光，而300毫米的晶圆片需要双面抛光。此外，设备的支出计划也取决于全球经济的持续复苏情况。semi全球集成电路制造厂观测报告(semiworldfabforecast)预测，2011年前道fab的支出额将略逊于2007年，达到423亿美元。