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光刻胶工艺

普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着---加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。呼吸器：无论何时在工作环境下呼吸保护必须遵循中国职业安全健康管理局标准的规定和ansi美国---学会z88。为了提高---系统分辨率的性能，futurrex 的光刻胶正在研究在---光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而---光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。

光刻胶介绍

光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体---材料，随后被改进运用到pcb板的制造，并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中---的工艺。

以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过---(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。

光刻技术随着ic集成度的提升而不断发展。光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短---波长以---分辨率，芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线436nm、i线365nm、krf248nm、 arf193nm、f2157nm，以及达到euv(<13.5nm)线水平。

目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、i 线、krf、arf四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。krf和arf光刻胶---基本被日本和美业所垄断。

在光刻胶的生产上，我国主要生产pcb光刻胶，lcd光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小， 2015年据统计我国光刻胶产量为9.75万吨，其中中低端pcb光刻胶产值占比为94.4%，半导体和lcd光刻胶分分别占比1.6%和2.7%，---依赖进口。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶---，正胶---。

纵观全球市场，光刻胶---化学品生产壁垒高，国产化需求---。 化学结构特殊、保密性强、用量少、纯度要求高、生产工艺复杂、品质要求苛刻，生产、检测、评价设备投资大，技术需要长期积累。

至今光刻胶---化学品仍主要被被日本合成橡胶jsr、东京应化tok、住友化学、美国杜邦、美国futurrex、德国巴斯夫等化工寡头垄断。

芯片光刻的流程详解二

所谓光刻，根据---的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用---和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。五、---在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、sos中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂或称光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。