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公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

mos，是mosfet的缩写。mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet。

场效应管有两大类型：n沟道和p沟道。在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻rdson。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅---悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即idss。

mos管失效的两个主要原因：

电压失效：即漏源间的bvdss电压超过mos管额定电压，达到一定容量，造成mos管失效。

栅电压故障：栅极遭受异常电压尖峰，造成栅氧层故障。

雪崩破坏到底是什么？简单地说，mos管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与mos管之间叠加而形成的故障模式。简而言之，即mos管漏源极的电压超过了它规定的电压值，并且达到了某一能量---i时所产生的常见故障。

造成栅电压异常高的主要原因有三个：生产、运输和装配过程中的静电；设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振；在高压冲击时，高压通过ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。

mos管失效的六个原因：

1、电压失效是大家常说漏源间的bvdss电压超出了mosfet的额定电压，而且超出了一定的能力进而导致mosfet失效。

2、电流失效即是超过了mosfet安全工作范围而造成的无效，其中又分为id超出器件规格而导致的失效以及其id过大，耗损过高导致器件长期热累积而导致的失效。

3、在桥式、llc等有效到体二极管开展续流的拓扑结构中，因为体二极管遭到毁坏而导致的无效。

4、在并联的应用过程中，栅极跟电路寄生参数导致波动会造成谐振失效。

5、在干燥的环境中，因为人体跟设备而产生的静电会导致器件的静电无效。

6、因为栅极出现异常工作电压顶i峰，导致栅极电压无效。