硅片刻蚀台信息「苏州晶淼半导体」

半导体封装形式介绍

3．3．5 封装晶片级封装csp(chip scale package)。几年之前以上所有的封装其封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在bga、tsop的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比减小到接近1的水平，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来和以前封装的区别。就目前来看，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为csp，而有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1．4或1．2的定为csp。目前开发应用为广泛的是fbga和qfn等，主要用于内存件和逻辑器件。就目前来看csp的引脚数还不可能太多，从几十到一百以上。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置，如---工具、手机、摄录一体机、以及数码相机等。

等离子刻蚀机的制备工艺简单 2.即使在处理复杂的轮廓结构时，离子刻蚀设备等离子蚀刻机也可以进行有针对性的准备。等离子刻蚀设备的刻蚀工艺改变了氮化硅层的形态。等离子刻蚀设备的刻蚀工艺改变了氮化硅层的形态。等离子蚀刻设备可以实现表面清洗、表面活化、表面蚀刻。并且表面涂层等特性可以达到不同的处理效果，这取决于---的材料不同。

湿法刻蚀机台,适用于半导体湿法刻蚀工艺,包括:支撑结构,支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆;待刻蚀的晶圆与支撑面之间预设一预定距离,支撑面朝向待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴;控温加热装置,连接边缘的气体喷嘴的气体管路,以加热气体管路内的保护气体;喷嘴装置,设置于支撑面的上方,喷嘴装置包括一喷嘴与一液体输送管,喷嘴设置于朝向支撑面的一面,液体输送管连接喷嘴背向支撑面的一端。