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v2o5因具有理论容量大,放电平台高,合成便捷,低成本等优点受到广泛关注.但也存在一些弊端,如结构稳定性较差,电子离子的导电率较低,故在充放电过程中li+的嵌入/脱出会导致v2o5层状结构的坍塌,因此阻碍了它的实际应用.而将材料纳米化,金属阳离子掺杂可以有效地克服v2o5材料的上述缺点.本文制备出了纯相的v2o5纳米材料和金属离子掺杂的v2o5纳米材料,并对制备样品的形貌结构,电化学性能进行了表征,还考察了金属离子掺杂量对材料性能的影响.采用双组份溶剂水热法(溶剂由水和醇类组成),合成出了纳米棒状结构的v2o5.以xrd,sem, cv和恒流充放电的表征方式对制备样品进行了性能研究,主要探究水与-的体积比,水热温度,填充比,水热时间以及不同种类的溶剂对材料性能的影响,得到了的制备条件,如下所示:水与-的体积比为1:0.5,水热温度为180℃,填充比为60%,水热时间为24h,的溶剂为-.并且此材料表现出了较好的电化学性能,有较好的可逆性和倍率性能以及循环性能,在充放电倍率为0.1c倍率下进行充放电测试,其放电比容可以达到250.01mah/g.通过使用nh4vo3和hcl为原料合成出了纳米棒状结构的v2o5正极材料.
-晶体结构为什么不能用鲍林规则解释
x射线晶体衍射实验功使晶体结构晶体性质间相互关系研究取重进展许科家鲍林、哥系密特等领域作巨贡献主要:11928鲍林根据已测定晶体结构数据晶格能公式所反映关系提判断离化合物结构稳定性规则——鲍林规则1配位面体规则其内容:离晶体离周围形负离面体负离间距离取决于离半径离配位数取决于离半径比第规则实际晶体结构直观描述nacl晶体由[nacl6]八面体共棱式连接
通过对原子层沉积过程中生长条件和反应前驱体的控制,制备了厚度在纳米级别可控的-薄膜,并实现了薄膜掺杂。同时研究了所制备超薄膜的光学和电学特性,为-超薄膜在光学器件和能量存储等领域的应用奠定了材料基础。本文主要研究内容和成果体现在以下几方面:首先,通过改变生长条件对-薄膜的生长进行调节,研究了薄膜厚度、形貌、组分、晶体结构等基本特性。发现薄膜的生长模式属于先层状生长,再岛状生长的stranski-krastanov模式,分析并比较了两种模式下薄膜形貌,生长速率,结构特性的区别,证明这两种生长模式的差异是由-晶体趋向于沿[010]方向生长的特性决定的。
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