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tmr(tunnel---oresistance)元件

tmrtunnel ---oresistance元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的amr元件和gmr元件具有的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结---ic tunnel junction，mtj来代指tmr元件，mtj元件相对于霍尔元件具有---的温度稳定性，更高的灵敏度，---的功耗，---的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于amr元件具有---的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于gmr元件具有---的温度稳定性，更高的灵敏度，---的功耗，更宽的线性范围。

磁导航传感器结构原理图

当磁导航传感器检测到磁条不在传感器的正下方，而是偏左或者偏右，agv就可以通过左转或者右转进行前进方向调整，直到传感器检测到磁条位于传感器的正下方为止。磁导航传感器由磁铁、线圈、弹簧、金属骨架和壳体等组成。系统产生恒定直流磁场，磁路中工作气隙是固定不变的，因而气隙中的磁通也是恒定不变的。它们的运动部件可以是线圈，又可分为圈式或动铁式两种结构类型。恒磁通磁传感器结构原理图磁铁与传感器壳体固定，线圈和金属骨架(合称线圈组件)用柔软弹簧支承。线圈组件与壳体固定，磁铁用柔软弹簧支承。

agv以轮式移动为特征，较之步行、爬行或其它非轮式的移动机器人具有行动快捷、工作效率---、结构简单、可控性强、安全性好等优势。与物料输送中常用的其他设备相比，agv的活动区域无需铺设轨道、支座架等固定装置，不受场地、道路和空间的---。因此，在自动化物流系统中，充分地体现其自动性和柔性，实现经济、灵活的无人化生产。