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   光刻胶定义

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外---或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。

光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显---，---的负性光刻胶或未---的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，然后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。

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   光刻胶的主要技术参数

1．灵敏度sensitivity

灵敏度是衡量光刻胶---速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的---剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。

2．分辨率resolution

区别硅片表---邻图形特征的能力。一般用关键尺寸cd，critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

(1) ---系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、---、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。  

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光刻胶的---参数是什么？

分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的---参数。随着集成电路的发展，芯片制造特征尺寸越来越小，对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的---参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要，光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。

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