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但是靶材制作困难，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。钼(mo)–在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲,所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。一般采用zro2、bi2o3、ceo等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ito薄膜的性能与添加剂的关系---。日本的科学家采用bizo作为添加剂，bi2o3在820cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ito靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。

精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。此外，---处理后，由于对每个辊筒都进行了剪切，所以基本上不会出现上述差别，这样就可---长度方向的电阻值的不均匀。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。

根据电解质的种类可分为氯化物熔盐体系和---物-氧化物熔盐体系电解法，多用于制取以---为主的混合稀土金属以及---、镨、钕等单一稀土金属。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。熔盐电解法为连续性生产过程，产量较大，设备简单，成本较低，但电解槽需用耐高温氯化物或---物腐蚀的结构材料制造。

还原制得含稀土99%的稀土金属经真空精炼(包括真空蒸馏或升华)、电传输、区域熔炼、熔盐电解精炼等方法处理除去非稀土杂质后，可获得纯度超过99.9%的稀土金属产品。

1：金属镀钯，镀钯铜提钯技术：首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中，再加入自配退钯溶液，数秒中后表面钯退净，取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害,再用自配化学试剂，钯和溶液分离

 2：合金含钯，铜钯合金提钯技术：把铜钯合金放入容器中，加入自配化学品把铜钯合金溶解成液体，再用自配化学试剂把钯和溶液分离。

 3：废钯碳催化剂提钯，首先用物理原理把碳等有机物去除，剩下金属钯，再用化学试剂溶解金属钯，再进行下一步钯分离。