NR9 1500P光刻胶厂家来电洽谈「多图」

光刻胶去除

半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、-和显影等步骤。

在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。

而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。1μm高温耐受负胶对g、h线波长的灵敏度nr71g-1500py1。

这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；四、对准alignment光刻对准技术是--个重要步骤作为光刻的三大-之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的1/7---1/10。同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。

pr1-2000a1nr9 1500p光刻胶厂家

4,-

前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行-，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，

光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；

对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。

-时间，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，

另外，为降低驻波效应影响，可在-后需进行烘焙，称为光后烘焙peb

nr9-1000py

问题回馈：

1．我们是led制造商，麻烦几款可以用于离子蚀刻和lift-off工艺的光刻胶。

a 据我所知，futurrex

有几款胶很，nr7-1500p

nr7-3000p是专门为离子蚀刻

设计的，nr9-3000py可以用于lift-off上的应用。

2．请问有没有可以替代goodpr1518，micropure去胶液和goodpr显影液的产品？

a 美国光刻胶，futurrex

正胶pr1-2000a

, 去胶液rr4，和显影液rd6可以解决以上问题。

3．你们是否有可以替代shipley

s1805的用于dvd的应用产品？

a 我们建议使用futurrex

pr1-500a , 它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，

反射比较少，不需要hmds，rie后去除容易等~

4． 求助，耐高温的光阻是那一种？

a futurrex, nr7 serious(负光阻)orpr1 serious(正光阻)，再经过hmcts

silyiation process,可以达到耐高温200度，pspi透明polyimide,可耐高温250度以上。

5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？

a futurrex , nr4-8000p比干膜，和其他市面上的湿膜适合，和理想。

6．请教lift-off制程哪一种光阻适合？

a 可以考虑使用futurrex

，正型光阻pr1，负型光阻用nr1&nr7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作pattern的光阻。

7．请问，那位知道，rie

mask,用什么光阻比较好？

a 正型光阻用pr1系列，负型光阻使用nr5，两种都可以耐高温180度。

8．一般厚膜制程中，哪一种光阻适合？

a nr9-8000p有-的深宽比超过4：1，一般厚膜以及，mems产品的高需求。

9．在deep

rie和mask 可以使用nrp9-8000p吗？

a 建议不使用，因为使用nr5-8000理想和适合。

10．我们是oled，我们有一种制程上需要一层spacer，那种光阻适合？

a 有一种胶很适合，美国futurrex

生产的nr1-3000py

and和

nr1-6000py,都适合在oled制程中做spacers